Até aqui, painéis solares de silício monocristalino desenvolveram-se rapidamente tanto na pesquisa quanto na industrialização.

Entre os muitos fatores que afetam as células C-Si, a melhoria da qualidade das pastilhas de silício torna a recombinação em massa cada vez menor, e o desenvolvimento de novas camadas de passivação e sua tecnologia de preparação reduzem bastante a recombinação da superfície. Entre eles, a recombinação do eletrodo de metal e o contato C-Si torna-se o fator chave que afeta a eficiência da célula e é considerado o último fator limitante próximo ao limite teórico de eficiência. Para reduzir a recombinação no ponto de contato entre o metal e o C-Si, por um lado, a área de contato direto entre o metal e o C-Si é reduzida abrindo parcialmente os orifícios na parte traseira da célula (incluindo PERC, PERL, e PERT, etc.). Embora a eficiência de conversão seja de 25% ou próximo, ainda há contato direto entre metal e C-Si nessas células, o processo de abertura traseira é complicado e causará danos ao material de silício na abertura.

Além disso, a técnica de abertura local faz com que os portadores não apenas se desviem do caminho de migração perpendicularmente à superfície de contato, mas também fiquem aglomerados na abertura, o que leva à perda do fator de preenchimento. Por outro lado, novos esquemas de contato precisam ser desenvolvidos para alcançar excelente passivação de superfície e separação e transporte de portadores sem a necessidade de aberturas, ou seja, contatos de passivação seletiva de portador. Esta solução pode realizar a passivação de toda a superfície do wafer de silício (incluindo a área de contato e a área sem contato) e, neste momento, os transportadores são transporte unidimensional entre os eletrodos em ambas as extremidades, o que é benéfico para obtenha um fator de preenchimento mais alto e melhore sua eficiência de conversão.